华为预计五年后设计出晶体管密度达1.4纳米制程晶片
尽管美国制裁使中国难以获得制造全球最先进晶片所需的设备，中国科技巨头华为仍预计，到2031年将设计出晶体管密度达到1.4纳米制程的高端晶片。
综合人民日报客户端、路透社、彭博社报道，2026国际电路与系统研讨会星期一（5月25日）在上海举行，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在主旨演讲中，正式发表“韬 (τ)定律”。这是中国在全球半导体领域首次提出指导产业发展的新原则。
基于该定律，华为过去六年已成功设计并量产了381款晶片。今年秋季，华为将发布新的麒麟手机晶片，完整采用逻辑折叠技术，大幅提升相关性能。
“韬(τ)定律”提出以“时间缩微”替代“几何缩微”，以系统性降低时间常数（韬τ）为目标，通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，实现半导体与电子系统的持续演进。
据报道，“韬定律”构建了贯穿器件、电路、晶片到系统层面的多层级协同优化体系。预计到2031年，基于该定律的高端晶片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。
尽管华为并未提供独立性能数据，但这一目标仍具重要意义，因为预计到本世纪末，1.4纳米制程将接近全球先进晶片制造的最前沿。
行业巨头台积电此前曾说，将于2028年开始量产同类产品。目前，台积电与华为及其制造合作伙伴中芯国际之间，在先进晶片制造能力上大约存在五年差距。
彭博社报道称，如果华为能大规模生产采用1.4纳米制程的晶片，意味着它将打破业界普遍共识，即荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）的先进极紫外（EUV）光刻机，是量产5纳米及更先进晶片所必需的设备。这类晶片被用于驱动最先进的人工智能技术。
纳米是衡量晶片上晶体管尺寸的单位。晶体管越小，一块晶片上就能容纳越多晶体管，晶片性能也会随之提升。ASML的EUV光刻机则被视为缩小晶体管尺寸的关键设备。